载板电镀加工的成本核心由 “材料 + 工艺 + 产能 + 辅助” 四大类因素构成。 核心成本构成因素 原材料成本：占比，主要是镀层金属（铜、镍、金等）的价格波动，以及电镀液、添加剂等耗材费用。 工艺相关成本：包括前处理 / 后处理的化学药剂、水电能耗，还有高精度设备的折旧与维护费用。 产能与良率成本：批量越小、良率越低，单位成本越高；复杂载板（如细线路、厚镀层）的加工难度会增加工时和报废率。 辅助与管理成本：涵盖检测（镀层厚度、附着力等）费用、人工操作成本，以及环保处理（废水、废气）的合规支出。
IC 载板电镀加工是半导体封装领域的核心工艺，专为 IC 载板（如 ABF 载板、BT 载板）沉积高精度金属镀层，核心作用是实现芯片与基板的可靠电连接、提升散热与抗腐蚀性能。
面板级加工：扇出型封装常采用面板级封装（FOPLP）方式，如盛美上海的 Ultra ECP ap-p 面板级电镀设备可加工尺寸高达 515x510 毫米的面板，相比传统晶圆级封装，能提高生产效率，降低成本。 高精度要求：需满足高密度互连（HDI）、超细线路 / 焊盘（线宽 / 线距常＜20μm）的要求，对镀层均匀性、致密度、附着力、纯度等方面要求，例如铜镀层孔隙率需≤1 个 /cm²。 复杂结构处理：对于埋入式扇出型封装结构，可能存在深宽比较大的通孔，电镀时需要特殊工艺处理，以避免产生空洞等缺陷。
半加成工艺载板电镀是一种用于制造高精度电子载板的工艺方法，在半导体封装等领域应用广泛。以下是关于它的详细介绍： 工艺原理：半加成法（SAP）的核心是通过 “逐步沉积铜层” 形成电路。先在绝缘基板表面制备超薄导电层，即种子层，再通过光刻技术定义线路图形，对图形区域电镀加厚铜层，去除多余部分后形成完整电路。改良型半加成法（mSAP）则是在基板上预先贴合 3-9μm 的超薄低轮廓铜箔作为基铜，再进行后续操作。 工艺流程 基材准备：使用表面平整的超薄铜箔基板或无铜基材，如 1-2μm 厚铜层的基板或 ABF 薄膜等。 化学沉铜：通过化学沉积在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄铜层，作为导电基底，即种子层。 图形电镀铜：对露出的种子层区域进行电镀加厚，使线路达到设计厚度，通常至 5-15μm，形成导线主体。 去胶与蚀刻：移除光刻胶或干膜，然后蚀刻掉未被电镀覆盖的薄种子层铜，由于种子层厚度极薄，蚀刻侧蚀极小。 表面处理：进行沉金、OSP、沉锡等表面处理，以满足后续封装和焊接等工艺的要求。